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SELECT Institucion FROM PublicObrasAutoresFil WHERE RefPublicacion = 263758 AND InstitucionPropia = 'S' UNION SELECT Adscripciones.Entidad FROM PublicacionesObras JOIN PublicObrasAutores ON PublicacionesObras.Identificador = PublicObrasAutores.RefPublicacion JOIN Adscripciones ON PublicObrasAutores.NumeroEmpleado = Adscripciones.NumeroEmpleado WHERE (PublicacionesObras.FechaPublicacion BETWEEN Adscripciones.FechaDesde AND Adscripciones.FechaHasta OR (PublicacionesObras.FechaPublicacion >= Adscripciones.FechaDesde AND Adscripciones.FechaHasta IS NULL)) AND PublicacionesObras.Identificador= 263758

Título del libro: 2014 Ieee 40th Photovoltaic Specialist Conference, Pvsc 2014
Título del capítulo: Study of the previous light-soaking effect on annealed hydrogenated polymorphous silicon solar cells structures

Autores UNAM:
BETSABEE MAREL MONROY PELAEZ; GUILLERMO SANTANA RODRIGUEZ;

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Autores externos:

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Idioma:
Inglés

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Año de publicación:
2014

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Palabras clave:

Hydrogen; Optical properties; Photodegradation; Silicon compounds; Solar cells; Spectroscopic ellipsometry; Thin films; Degradation process; Hydrogen diffusion barriers; Long range motion; Long-range diffusion; Optoelectronic properties; Photovoltaic structures; Polymorphous silicon; raman; Silicon solar cells

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Resumen:

This work describes a study performed on pm-Si:H PIN and NIP structures, deposited by PECVD. We show the effect of light-soaking (AM1.5) on pm-Si:H thin films structures optical properties. We propose a model for long range diffusion of hydrogen through the whole device. From the evolution of Raman spectra after annealing, we show that this long range motion of hydrogen causes a hydrogen rearrangement on the film along with a shift on the exodiffusion peaks explaining the degradation process in this type of devices. As a result we determined that for the PIN structure a hydrogen diffusion barrier is generated by defects, which causes a less degradation of its optoelectronic properties under illumination, and a more stable device during operation is expected. © 2014 IEEE.

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Entidades citadas de la UNAM:

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Fuente:



ISBN:
9781479943982
Editorial:
Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

Tipo de producto:
Conference Paper

DOI:
10.1109/PVSC.2014.6925026