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SELECT Institucion FROM PublicObrasAutoresFil WHERE RefPublicacion = 269961 AND InstitucionPropia = 'S' UNION SELECT Adscripciones.Entidad FROM PublicacionesObras JOIN PublicObrasAutores ON PublicacionesObras.Identificador = PublicObrasAutores.RefPublicacion JOIN Adscripciones ON PublicObrasAutores.NumeroEmpleado = Adscripciones.NumeroEmpleado WHERE (PublicacionesObras.FechaPublicacion BETWEEN Adscripciones.FechaDesde AND Adscripciones.FechaHasta OR (PublicacionesObras.FechaPublicacion >= Adscripciones.FechaDesde AND Adscripciones.FechaHasta IS NULL)) AND PublicacionesObras.Identificador= 269961

Título del libro: 2015 Ieee Nuclear Science Symposium And Medical Imaging Conference, Nss/mic 2015
Título del capítulo: Effect of the capture cross section of bulk traps in amorphous materials on the frequency dependence of the Capacitance-Voltage characteristic of MIS structures

Autores UNAM:
JULIO CESAR TINOCO MAGAÑA;

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Autores externos:

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Idioma:
Inglés

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Año de publicación:
2016

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Palabras clave:

Capacitance; Characterization; Metal insulator boundaries; MIS devices; MOS capacitors; Oxide semiconductors; Semiconductor materials; Amorphous oxide semiconductor (AOS); C-V characterization; Capacitance voltage characteristic; Capture cross sections; CV simulation; Frequency dependence; Measurement frequency; Metal insulator semiconductor structures; Amorphous materials

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Resumen:

The dependence with the measurement frequency observed in the Capacitance-Voltage characteristics of Metal-Insulator-Semiconductor structures using an amorphous oxide semiconductor material is presented and analyzed. It is demonstrated by simulation that the effect is due to the Distribution of States (DOS) present in the energy gap of the semiconductor material and strongly depends on the capture cross section of the DOS. © 2015 IEEE.

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Entidades citadas de la UNAM:

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Fuente:


ISBN:
0978147E12
Editorial:
Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

Tipo de producto:
Conference Paper

DOI:
10.1109/ROPEC.2015.7395130