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SELECT Institucion FROM PublicObrasAutoresFil WHERE RefPublicacion = 378042 AND InstitucionPropia = 'S' UNION SELECT Adscripciones.Entidad FROM PublicacionesObras JOIN PublicObrasAutores ON PublicacionesObras.Identificador = PublicObrasAutores.RefPublicacion JOIN Adscripciones ON PublicObrasAutores.NumeroEmpleado = Adscripciones.NumeroEmpleado WHERE (PublicacionesObras.FechaPublicacion BETWEEN Adscripciones.FechaDesde AND Adscripciones.FechaHasta OR (PublicacionesObras.FechaPublicacion >= Adscripciones.FechaDesde AND Adscripciones.FechaHasta IS NULL)) AND PublicacionesObras.Identificador= 378042

Título del libro: 2010 27th International Conference On Microelectronics, Miel 2010 - Proceedings
Título del capítulo: RF compact small-signal model for SOI DG-MOSFETs

Autores UNAM:
JULIO CESAR TINOCO MAGAÑA;

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Autores externos:

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Idioma:

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Año de publicación:
2010

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Palabras clave:

Bias conditions; Compact model; DC model; Intrinsic parameters; Mobile charge; MOSFETs; RF behavior; Small signal equivalent circuit; Small signal model; Technological parameters; Transistor channels; Field effect transistors; Galerkin methods; Microelectronics; MOSFET devices; Powders; Heterojunction bipolar transistors

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Resumen:

A compact model for small-signal equivalent circuit of DG-MOSFETs is presented. The intrinsic parameters are obtained from DC analytic compact model. This DC model allows determining the mobile charge inside the transistor channel, from which the intrinsic parameters are derived. Additionally, the extrinsic capacitances are calculated and included into the model. This compact small-signal model allows determining the transistor RF behavior at different bias conditions and for different technological parameters in a more simple and precise way. © 2010 IEEE.

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Entidades citadas de la UNAM:

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Fuente:


ISBN:
9781424472017
Editorial:

Tipo de producto:
Conference Paper

DOI:
10.1109/MIEL.2010.5490458