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SELECT Institucion FROM PublicObrasAutoresFil WHERE RefPublicacion = 379890 AND InstitucionPropia = 'S' UNION SELECT Adscripciones.Entidad FROM PublicacionesObras JOIN PublicObrasAutores ON PublicacionesObras.Identificador = PublicObrasAutores.RefPublicacion JOIN Adscripciones ON PublicObrasAutores.NumeroEmpleado = Adscripciones.NumeroEmpleado WHERE (PublicacionesObras.FechaPublicacion BETWEEN Adscripciones.FechaDesde AND Adscripciones.FechaHasta OR (PublicacionesObras.FechaPublicacion >= Adscripciones.FechaDesde AND Adscripciones.FechaHasta IS NULL)) AND PublicacionesObras.Identificador= 379890

Título del libro: Icsict-2010 - 2010 10th Ieee International Conference On Solid-State And Integrated Circuit Technology, Proceedings
Título del capítulo: MuGFETs for microwave and millimeter wave applications

Autores UNAM:
JULIO CESAR TINOCO MAGAÑA;

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Autores externos:

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Idioma:

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Año de publicación:
2010

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Palabras clave:

Channel length; International technology; Millimeter-wave applications; MOS transistors; MOS-FET; Multiple gates; Short-channel effect; Technology nodes; Integrated circuits; Technology; Transistor transistor logic circuits; MOSFET devices

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Resumen:

In the last years the MOS transistor technology has reach very high cut-off frequencies (near to 500 GHz), thanks to the continuous reduction of the channel length, but the short-channel-effects (SCE) strongly affects the MOSFET behavior below 60 nm. For such technology nodes the Multiple-Gate transistor (MuGFET) appears as a promising alternative to continue with the International Technology Roadmap of Semicoductors (ITRS) projections. In this paper, limitations and possible improvements of MuGFETs are presented. ©2010 IEEE.

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Entidades citadas de la UNAM:

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Fuente:


ISBN:
9781424457984
Editorial:

Tipo de producto:
Conference Paper

DOI:
10.1109/ICSICT.2010.5667308